发明名称 人造金刚石薄膜快速生长的方法
摘要 本发明涉及一种人造金刚石薄膜快速生长技术,系将金属材料钼、钛工件用金刚石微粉打磨其表面,然后在其上涂覆有催化剂与金刚石微粉混合在一起的涂覆料,将其放入微波等离子体合成金刚石薄膜机的真空反应区内,抽真空至真空度达Pa<SUP>-1</SUP>后,先充入氢气,再通入甲烷气或碳氢化物,打开微波电源微波放电,在反应室内发生电离,碳氢化物或甲烷气分解,1小时后放入反应室的工件表面,热沉上1.5mm厚的人造金刚石薄膜。
申请公布号 CN1106470A 申请公布日期 1995.08.09
申请号 CN94105416.0 申请日期 1994.07.15
申请人 郑鲁生;马元震;朱纪伍 发明人 郑鲁生;马元霞;朱纪伍
分类号 C23C16/26;C23C16/50 主分类号 C23C16/26
代理机构 代理人
主权项 1、一种人造金刚石薄膜快速生长方法,系将经过表面处理的金属工件,通过微波等离子体放电装置进行化学气相沉积人造金刚石的方法,其特征在于金属材料钼、钛工件,用金刚石微粉打磨其表面清除油污,然后涂覆有催化剂与金刚石微粉混合在一起的涂覆料,放入微波等离子体合成的金刚石薄膜机的真空反应区内,抽真空至真空度达Pa-1后,先充入氢气,再通入甲烷气或碳氢化合物,打开微波电源加热,温度不高于1050℃,反应1小时,放入反应室的工件表面热沉上1.5mm/h厚的人造金刚石薄膜。
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