E2PROM mit in einem Halbleitersubstrat geformten schwebenden Gate und Herstellungsverfahren.,申请号DE19906017319T-传众专利搜索

发明名称	E2PROM mit in einem Halbleitersubstrat geformten schwebenden Gate und Herstellungsverfahren.
摘要
申请公布号	DE69017319(T2)	申请公布日期	1995.08.03
申请号	DE19906017319T	申请日期	1990.09.05
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CORP., KAWASAKI, JP	发明人	NORICHIKA, KENSAKE, INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP;TAKEDAI, MARATAKA, INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L29/41	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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