用碳化硅与金属合成金刚石的方法

摘要

一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法。以SiC为碳源；以纯金属Cr、Mn、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ta、Co基合金，Al基合金，Ti基合金，Mn基合金，Ni基合金，Fe基合金，IB族元素与4A、5A、6A族元素和4A、5A、6A族元素的碳化物之间的2元合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒；采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，压力为3～5.5GPa，温度为600°～1500℃，保温时间为5秒～20分钟。

主权项

1、一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法，采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，其特征在于：①以SiC为碳源，以纯金属Cr、Mn、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ta，Co基合金，Al基合金，Ti基合金，Mn基合金，Ni基合金Ni-Cr、Ni-Fe、Ni-Mn、Ni-Cr-Fe、Ni-Co-Fe，Fe基合金Fe-Al，IB族元素(Cu、Ag、Au)与4A、5A、6A族元素(Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W)和4A、5A、6A族元素的碳化物之间的二元合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒，SiC与触媒的比例为1∶1～1∶16，②压力为3～5.5GPa，③温度为600°～1500℃，④保温时间为5秒～20分钟。