| 主权项 |
信号及一个延迟触发信号,本可串级之多触发产生器包含:第一脉冲信号产生装置,当接收到一个外部触发信号的输入,产生一个第一单击式脉冲信号,而此第一单击式脉冲信号即做为上述之可串级之多脉冲产生器所输出之单击式脉冲信号;第二脉冲信号产生装置,接收第一单击式脉冲信号的输入,并加以做内部延迟以产生一个第二单击式脉冲信号;触发信号产生装置,接收第二单击式脉冲信号的输入,产生上述之延迟触发信号;而延迟触发的脉冲宽度相等于第一单击式脉冲信号的脉冲宽度和第二单击式脉冲信号的脉冲宽度之和。2.如申请专利范围第1项之可串级之多脉冲产生器,其中上述之单击式脉冲信号包含一方形脉冲,其宽度等于上述之各个触发信号产生装置之内部延迟。3.如申请专利范围第1项之可串级之多脉冲产生器,其中上述之每一脉冲信号产生装置,包含:一反及闸(NANDgate),具有一第一输入端连接至上述之脉冲信号产生装置之输入端;一反相延迟电路,连接至上述之脉冲信号产生装置之输入端;并且有一输出端连接至反及闸之第二输入端;当一特定的数位信号输入上述之脉冲信号产生装置,上述之反及闸便输出一脉冲信号,而此脉冲信号其宽度相等于上述反相延迟电路所做的延迟。4.如申请专利范围第1项之可串级之多脉冲产生器,其中上述之每一触发信号产生装置包含一反及闸,其输入端分别和上述之第一及第二脉冲信号产生装置之输出端相连接。5.如申请专利范围第1项之可串级多脉冲产生器,其中上述之每一脉冲信号产生装置之反相延迟电路包含:一波形整形反相器,连接至反相延迟电路之输入端,用以防止所输入上述之外部触发信号之延迟时间受到波形之影响;至少一个以上非平衡的NMOS--PMOS反相器,连接至波形整形反相器用以延迟上述之外部触发信号;及一缓冲反相器连接至上述之至少一个以上非平衡的NMOS--PMOS反相器及具有一输出端连接至反相延迟电路之输出端用以隔离反相延迟电路和连接在缓冲反相器之输出负载。6.一种可串级之多脉冲产生器具有两组单击式脉冲产生器,每级均能输出单击式脉冲信号及延迟触发信号及包含:一第一脉冲信号产生装置,当接收到一个外部触发信号的输入,产生一个第一单击式脉冲信号,而此第一单击式脉冲信号即做为上述之可串级之多脉冲产生器所输出之单击式脉冲信号;一第二脉冲信号产生装置,接收第一单击式脉冲信号,并加以做内部延迟以产生一个第二单击式脉冲信号;一触发信号产生装置,接收第二单击式脉冲信号的输入,产生上述之延迟触发信号;而延迟触发信号的脉冲宽度相等于第一单击式脉冲信号宽度及第二单击式脉冲信号宽度之和;其中每一在前之级接到外部触发的输入信号,此输入信号乃是来自前一级的输出,所以对于输入每一级之触发信号及每一级所输出之单击式脉冲信号之关系为单击式脉冲信号前缘开始于触发信号结束之后缘,而最后一级所输出之单击式脉冲信号即做为可串级多脉冲产生器之输出。7.一种系统时脉产生装置,具有多数级之可串级之多脉冲产生器,每一级之可串级多脉冲产生器包含:一第一脉冲信号产生装置,当接收到一个外部触发信号的输入,产生一个第一单击式脉冲信号,而此一单击式脉冲信号即做为可串级之多脉冲产生器所输出之单击式脉冲信号;一第二脉冲信号产生装置,当接收第一单击式脉冲信号,并加以做内部延迟以产生一个第二单击式脉冲信号;一触发信号产生装置,接收第二单击式脉冲信号的输入,产生一延迟触发信号的输出,以做为下一级之外部触发信号;而延迟触发信号的脉冲宽度相等于第一单击式脉冲信号之宽度及第二单击式脉冲信号宽度之和;其中由前一级之可串级之多脉冲产生级所输出之延迟触发信号输入下级做为触发信号并产生此级之单击式脉冲信号的输出,对于输入此级之触发信号及输出此级之单击式脉冲信号之关系为,所输出此级之单击式脉冲信号前缘开始于输入此级之触发信号结束之后缘,及其中多数之上述之单击式脉冲信号输出,重叠而形成一系统时脉信号。图1所示为依据本发明之可串接之多脉冲信号产生器图2(a)-(h)所示为图1操作之时序图图3所示为依据图1之串级三级之范例图4(a)-(h)所示为图3之操作时序图图5所示包含在图1中之反相器 |
