| 主权项 |
1.一种形成有沟道蚀刻挡止构造之叠层电容制法, 包括: 一于矽层上形成场区、第一复晶矽闸极、覆盖氧 化层之步 骤;一沈积/掺杂形成薄厚度第二复晶矽层之步骤; 一沈 积薄厚度导电层之步骤;一沈积/掺杂形成高厚度 第三复 晶矽层之步骤;一覆光阻及进行第三复晶矽层沟道 蚀刻光 罩之步骤;一蚀刻第三复晶矽层,蚀刻深度至导电 层位置 为止之步骤;一光罩/蚀刻第二、第三复晶矽层及 导电层 外围多余材料,以形成电容内层电极板之步骤;一 依次沈 积薄氧化层及第三复晶矽层之步骤;藉该薄厚度之 第二复 晶矽层、薄厚度之导电层及高厚度之第三复晶矽 层组成一 三层式内电极板,并藉导电层做为蚀刻挡止构造, 以精确 控制蚀刻深度者。2.如申请专利范围第1项所述之 形成有沟道蚀刻挡止构造 之叠层电容制法,其中该导电层可为自然氧化膜或 为复晶 矽以外的导体材料者。3.一种形成有沟道蚀刻挡 止构造之叠层电容构造,包括: 一薄厚度之第二复晶矽层;一覆盖在第二复晶矽层 上方之 薄厚度的导电层;一凸起在导电层上方之若干高厚 度的第 三复晶矽层;一覆盖在上表面之介电质层;一覆盖 在介电 质外围之第四复晶矽层;藉第二复晶矽层、导电层 及第二 复晶矽层构成叠层电容之内电极板者。4.如申请 专利范围第3项所述之形成有沟道蚀刻挡止构造 之叠层电容构造,其中该导电层可为自然氧化膜或 为复晶 矽以外的导体材料者。第一图:系传统叠层电容剖 面构造 图。第二图:系另一种习知叠层电容剖面构造图。 第三图 :系本发明之叠层电容结构剖面图。第四图:系本 发明之 |
