| 摘要 |
<P>Procédé de dépôt d'au moins une lame semiconductrice d'épaisseur et d'étendue déterminées sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: <BR/> - bombardement par des ions d'une face d'un substrat semiconducteur pour y créer une couche de microbulles gazeuses selon un plan de clivage du substrat, l'énergie d'implantation des ions étant prévue pour obtenir la couche de microbulles gazeuses à une profondeur correspondant à l'épaisseur déterminée de la lame semiconductrice, les ions étant choisis parmi les ions de gaz rares ou de gaz hydrogène, <BR/> - solidarisation sur ladite face du substrat du support, <BR/> - éclairage par un faisceau lumineux de la zone de la face du substrat correspondant à la lame à déposer, au travers du support, l'énergie lumineuse transmise par le faisceau au travers dudit support devant être suffisante pour induire dans la région correspondante de la couche de microbulles gazeuses une température suffisante pour provoquer le clivage de la lame du substrat et pour provoquer l'augmentation de l'adhésion de la lame sur le support, <BR/> - désolidarisation du substrat par rapport au support, cette désolidarisation séparant la lame du substrat et la conservant sur le support.</P> |
