| 摘要 |
<P>Cette structure comprend une couche semiconductrice intermédiaire (4) entre deux autres couches semiconductrices (6, 8), de dopages opposé, et, d'un côté de la couche intermédiaire, un agencement périodique (12, 14) apte à moduler spatialement la répartition des porteurs de charge ou le champ électrique dans cette couche intermédiaire lorsqu'un courant électrique est injecté dans la jonction P-N formée par les deux autres couches ou que cette jonction est polarisée en inverse. Application aux diodes-lasers à contre-réaction distribuée ou à réflecteurs de Bragg distribués.</P> |
