| 发明名称 |
CIRCUIT DE POLARISATION DE DRAIN POUR TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET) DE PUISSANCE ELEVEE, A HYPERFREQUENCES ET ADAPTES INTERIEUREMENT. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2658012(B1) |
申请公布日期 |
1995.07.21 |
| 申请号 |
FR19900001342 |
申请日期 |
1990.02.06 |
| 申请人 |
AGENCE SPATIALE EUROPEENNE |
发明人 |
TORRES TORRES FRANCISCO |
| 分类号 |
H03F3/60;(IPC1-7):H03F1/08;H03F3/193 |
主分类号 |
H03F3/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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