发明名称 Klasse AB mottakt-drivkrets, fremgangsmåte derved og elektronisk krets for samme
摘要 To KPN transistorer (Qj og Q2) og to PNP transistorer (Qo og 04) har sine emittere koblet sammen. Konstante spennlngskretser (l og 2) holder spenningene konstant mellom basisene for transistorene (Oi og 03) og mellom basisene for transistorene (Q% °g °4 ) ¿ En differen- tlalinngangsspenning (Vj) påtrykkes mellom basisene for transistorene (Oj og 03). Kollektorstrømmene (Ij, 13 og I2« J4) e>ker eller avtar på en eksponentiell og dlfferentiell måte. Kollektorstrømmene (Ij, I3 eller I2, 14) blir omvendt og summert for å gl en klasse AB drlvstrøm og for å øke utgangsamplltuden. Symmetrien kan også forbedres. Siden enhver forskjell mellom signalforsterkningsbanene blir opphevet er det mindre sannsynlig at en differentlalfase mellom banelengdene vil oppstå i høyfrekvensområdet. Siden det ikke finnes noen tilbakekobling eller lignende for klasse AB drift, er det vanskelig for eventuell unormal osclllasjon å oppstå. Siden de konstante spennlngskretser (l og 2) er dannet av dioder (Dj-04), kan temperaturkarakterlstik- kene for transistorene (01-04) utlignes. Videre kan klasse AB mottakt-drivkretsen drives med en forholdsvis lav spenning. Transistorene (01-04) kan byttes ut med felteffekttransistorer.
申请公布号 NO950175(A) 申请公布日期 1995.07.20
申请号 NO19950000175 申请日期 1995.01.17
申请人 JAPAN RADIO CO LTD 发明人 YAMASHITA, KAZUO;ADACHI, NOBUYUKI;NISHIBE, MASATOYO;EGAWA, MASAHIKO;INOUE, AKIHARU
分类号 H03F1/30;H03F3/30;H03F3/45;(IPC1-7):H03F3/26;H03F3/18 主分类号 H03F1/30
代理机构 代理人
主权项
地址