发明名称 | 采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀 | ||
摘要 | 及其在液晶光阀中的使用。所述的液晶光阀没有阻光层,写入光信号的接收及干扰光的吸收全部由所述光敏层完成。所述光敏层是一种在膜层厚度方向上改性的以a-Si:H为本体结构的半导体材料。该光敏层中可出现类p-n或p-i结效应,光、暗电容变化明显,因而所述的液晶光阀在无法改善材料的其它性能参数时,由光敏层材料载流子扩散控制的分辨率限仍可得到相应的提高。 | ||
申请公布号 | CN1029356C | 申请公布日期 | 1995.07.19 |
申请号 | CN93108193.9 | 申请日期 | 1993.07.08 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杜丕一;韩高荣;丁子上;韩伟强 |
分类号 | G02F1/1333 | 主分类号 | G02F1/1333 |
代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 陈祯祥 |
主权项 | 1.一种反射型液晶光阀,主要由基板[1]和[10]、透明导电层[2]和[9]、液晶电-光调制层[7]、介质反射层[5]、液晶定向层[6]和[8]以及光敏层迭合而成,其特征是光敏层[3a]-[3b]采用在薄膜厚度方向上具有过渡改性结构的a-Si:H半导体材料,其用于写入光一侧是本征或掺微量磷的a-Si:H半导体薄膜,光学能隙保持在1.75ev,光/暗电阻比为10-2~10-3;另一侧是本征或掺微量硼的改性a-Si:H薄膜,其中掺杂原子比B/Si在0~4.0×10-5范围内变化,膜层电阻率为2.5×106Ωcm及1010Ω/□,光学能隙小于1.6ev,可见光吸收系数为105cm-1,光/暗电阻比为0.4~0.9,膜层结构非晶硅本体中晶体占约20%,其尺寸在150~60A范围内。 | ||
地址 | 310013浙江省杭州市玉泉 |