发明名称 |
Process for making contacts on the surface of a semiconductor body by means of serigraphy, and device made by this process. |
摘要 |
Le procédé se rapporte à la création d'un contact à la surface (23) d'un corps semiconducteur (21), par un procédé de sérigraphie utilisant un dépôt (25) de pâte conductrice contenant l'addition d'un élément dopant susceptible d'augmenter la concentration d'impuretés en surface au cours du traitement de vitrification de ladite pâte. Selon l'invention, le procédé comporte un second dépôt (28) de pâte conductrice, localisé au seul emplacement prévu pour le soudage d'une connexion (27), la pâte dudit second dépôt étant dépourvue de l'élément dopant. |
申请公布号 |
EP0002550(A1) |
申请公布日期 |
1979.06.27 |
申请号 |
EP19780200340 |
申请日期 |
1978.12.04 |
申请人 |
SOCIETE ANONYME DITE R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC;N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN |
发明人 |
DIGUET, DANIEL;DAVID, GERARD ANDRE;AUBRIL, PIERRE |
分类号 |
H01L31/04;H01L21/283;H01L21/288;H01L21/60;H01L31/0224 |
主分类号 |
H01L31/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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