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发明名称 MIS (Metallisolatorhalbleiter)-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要
申请公布号 DE3728849(C2) 申请公布日期 1995.07.13
申请号 DE19873728849 申请日期 1987.08.28
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 HIEDA, KATSUHIKO, YOKOHAMA, KANAGAWA, JP;SUNOUCHI, KAZUMASA, YOKOHAMA, KANAGAWA, JP;NITAYAMA, AKIHIRO, KAWASAKI, KANAGAWA, JP;TSUDA, KAZUSHI, KAWASAKI, KANAGAWA, JP;TAKATO, HIROSHI, KAWASAKI, KANAGAWA, JP;TAKENOUCHI, NAOKO, TOKIO/TOKYO, JP
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772;H01L27/088 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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