Methode zur Herstellung von oxydischen Hochtemperatursupraleitern mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie.,申请号DE19916010179-传众专利搜索

发明名称	Methode zur Herstellung von oxydischen Hochtemperatursupraleitern mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie.
摘要
申请公布号	DE69110179(D1)	申请公布日期	1995.07.13
申请号	DE19916010179	申请日期	1991.03.28
申请人	PRESIDENT OF TOKIO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, TOKIO/TOKYO, JP	发明人	KAWAI, MAKI, TOKYO, JP;WATANABE, SHUNJI, TOKYO, JP
分类号	C01B13/14;C01G1/00;C01G29/00;C30B23/08;C30B29/22;H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24;(IPC1-7):H01L39/24	主分类号	C01B13/14
代理机构		代理人
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