首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 High voltage MOS transistor and production method thereof, and semiconductor device having high voltage MOS transistor and production method thereof.
摘要
申请公布号 EP0445756(B1) 申请公布日期 1995.07.12
申请号 EP19910103376 申请日期 1991.03.05
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 IKEMASU, SHINICHIROU
分类号 H01L21/285;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08;H01L29/40 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com