平坦化沟槽式元件隔离区的制造方法

摘要

一种平坦化沟槽式元件隔离区的制造方法，包括下列步骤：在一矽基底上形成一遮蔽层，并经蚀刻以定义图案，露出该矽基底欲形成元件隔离区的部分；蚀刻该矽基底未被该遮蔽层盖住的部分以形成沟槽；在该沟槽的底部和侧壁上形成一薄氧化层；将一杂质植入该沟槽下方的该矽基底中，以形成一通道截止区；形成一四乙氧基矽甲烷(TEOS)氧化层，覆盖在该薄氧化层和该遮蔽层上，以填满该沟槽；在该四乙氧基矽甲烷氧化层上形成一金属层；进行一热退火处理以使该金属聚结成岛状聚结体，并在该四乙氧基矽甲烷氧化层中形成裂缝与凹坑；去除该金属层；经由该些裂缝与凹坑蚀刻去除该遮蔽层，连带亦去除该四乙氧基矽甲烷氧化层位于该遮蔽层上方的部分；以及形成一绝缘填充物以填汉该沟槽内的裂缝与凹坑，完成该平坦化沟槽式元件隔离区。

主权项

2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该遮蔽层是包括一垫氧化层和一氮化矽层的双层结构。3.如申请专利范围第2项所述的制造方法,其中该垫氧化层的厚度是介于50埃至300埃。4.如申请专利范围第2项所述的制造方法,其中该氮化矽层的厚度是介于300埃至3000埃。5.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该沟槽的深度是介于2000埃至8000埃。6.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该薄氧化层的厚度是介于50埃至200埃。7.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该通道截止区的杂质植入在形成该薄氧化层之前进行。8.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该四乙氧基矽甲烷氧化层的厚度是介于2500埃至8000埃。9.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该金属层是一厚度介于300埃至3000埃的钴金属层。10.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该退火处理是在700℃至900℃温度范围内进行5至60分钟。11.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该金属层是以盐酸、过氧化氢、及水的混合液去除。12.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该绝缘填充物的形成步骤包括:沈积一氧化层填满该些裂缝与凹坑,并覆盖在该四乙氧基矽甲烷氧化层表面上;以及回蚀刻该氧化层而留下在该些裂缝与凹坑内的部分,用以当作该绝缘填充物。13.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该绝缘填充物的形成步骤包括:沈积一复晶矽层填满该些裂缝与凹坑,并覆盖在该四乙氧基矽甲烷氧化层表面上;氧化该复晶矽层以形成一氧化层;以及回蚀刻该氧化层而留下在该些裂缝与凹坑内的部分,用以当作该绝缘填充物。14.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中形成该通道截止区系植入BC^+C或BF2C^+C离子,其能量是介于10至180KeV,其剂量是介于110C^13C至110C^14Catoms/cmC^2C。15.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中形成该通道截止区系植入ASC^+C或PC^+C离子,其能量是介于10至180KeV,其剂量是介于110C^13C至110C^14Catoms/cmC^2C。第1A至1C图是剖面示意图,绘示习知之局部氧化方法形成元件隔离区的制造流程;以及第2A至2E图是剖面示意图,绘示根据本发明方法一较佳实施例的制造流程