| 主权项 |
1.一种处理半导体晶片用之多区域照明器包括(1) 一具有 底侧之灯罩;(2)多数嵌入该底侧内之光源灯,该等 灯系 配置于多数同心圆的区域内,以便产生及引导光能 ;(3) 附装于该底侧之反射板,以便反射及引导光能;及(4 )至 少含有一嵌入在该底侧内以供测量光调变深度用 之仿真灯 的光干涉消除电路(LIEC),其中至少有一仿真灯系与 该等 同心圆区域中之至少一个区域联结。2.根据申请 专利范围第1项之装置另外包括有:(1)多数 嵌入在该低侧内之导光管;及(2)一装设于至少一个 该等 仿真灯内之导光管,而该仿真灯系至少与一加热区 域联结 。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该光干涉 消除电 路包括有:(1)、多数可嵌入该等多数嵌入在该底侧 内的 导光管中之晶片温度感测器;(2)、多数可嵌入该等 仿真 灯内所装设的该等导光管内之灯辐射感测器;(3)一 调变 该加温灯及仿真灯至所选调变深度及频率用之调 变光源; (4)用以决定至少在一个该多数灯辐射感测器内所 侦测到 的辐射的调变深度大小之电路;(5)用以决定该多数 晶片 温度感测器中所稳存之灯干涉信号的大小之电路( 6)用以 从该晶片温度感测器信号减去该灯干涉信号以决 定晶片温 度之电路。4.根据申请专利范围第1项之装置,其中 该等光源灯系联 结在每一该等圆形区域内,俾可在半导体晶片表面 提供一 来自每一该等圆形区域的该光能之近似连续环。5 .根据申请专利范围第1项之装置,其中该照明器包 括多 数冷却管道,以供冷却流体之流体俾便冷却该反射 器。6.根据申请专利范围第1项之装置,另外包括有 多数可调 整的电源供给,每一该等可调整电源供给经予联结 ,俾可 提供电力给每一个别的灯区域。7.根据申请专利 范围第6项之装置,其中每一电源供给亦 供与电力给至少一个仿真灯。8.根据申请专利范 围第1项之装置,其中该光源灯包含钨 、卤灯。9.根据申请专利范围第1项之装置,其中每 一该等光源灯 含有一500至2000瓦特之钨、卤灯。10.根据申请专利 范围第1项之装置,另外包括有调整该 等灯与该晶片之间的间隔用的装置。11.根据申请 专利范围第10项之装置,其中调整用之该装 置亦能调整该反射板与该晶片间之间隔,其中该等 灯与晶 片间之间隔可与该反射板与晶片间之间隔无关地 加以调整 。12.根据申请专利范围第1项之装置,其中该反射 板为平 整及镀金者。13.一种处理半导体晶片用之多区域 照明器包括有:(1)一 具有底侧之灯罩;(2)多数嵌入在该底侧内之光源灯 ,此 等灯系配置于四个同心圆的区域内,其中每一区域 可提供 一光能之近似连续环,以使晶片的加热均匀;(3)多 数可 调整电源供给,每一该等可调整电源供给经予联结 ,俾可 供给电力给一同心的圆形区域;(4)多数嵌入在该底 侧供 测量光调变深度用的仿真灯;其中至少有一仿真灯 系由每 一电源供给所供电且包括有一接收多数第一光纤 辐射感测 器中之一用的导光管。(5)多数嵌入在该底侧供接 收多数 第二光纤晶片温度感测器用之导光管;(6)一附装于 该底 侧供反射及引导光能用之镀金平整反射板;及(7)一 调整 灯与晶片间的间隔及反射器与晶片间的间隔用之 装用。14.根据申请专利范围第13项之装置,其中该 四个同心灯 区域包括有一具有29个点光源灯之外圆灯区域、 一具有20 个点光源灯之外中间圆形灯区域、一具有11个点 光源灯之 内中间圆形区域、及一具有5个点光源灯之中央圆 形区域 。15.根据申请专利范围第13项之装置,另外包括有: (1)调 变该等灯及仿真灯至所选调变深度及频率用的调 变源;(2 )用以决定在至少一个该等多数第一光纤感测器所 侦测的 辐射之调变深度大小的电路;(3)用以决定该多数第 二光 纤感测器内所隐存之灯干涉信号的大小用的电路; 及(4) 用以从该晶片温度感测器信号减去该灯干涉信号 的电路, 以决定真实晶片温度。16.根据申请专利范围第13 项之装置,其中该灯罩包括有 多数的冷却管道,以便冷却流体之流动,冷却该反 射器及 该导光管。17.根据申请专利范围第13项之装置,其 中该光源灯包含 有钨卤灯。18.根据申请专利范围第13项之装置,其 中每一该等点光 源灯包括有500至2000瓦特的钨、卤灯。19.根据申请 专利范围第13项之装置,其中该四个同心灯 区域包括有一具有29个光源灯之外圆形灯区域、 一具有20 个光源灯之外中间圆形灯区域、一具有11个光源 灯之内中 间圆形区域、及一具有5个光源灯之中央圆形区域 。20.一种适合处理半导体晶片之快热处理器,该处 理器包 括有:(1)一位于该晶片上方之石英窗;及(2)一位于 该石 英窗上方的多区域照明器包括有:i.一具有底侧之 灯罩; ii.多数嵌入在该底侧内之光源灯,该等灯系配置于 四个 同心圆的区域内,其中每一区域均提供一个光能的 近乎连 续环以使晶片的加热均匀;iii.多数可调整的电源 供给, 每一该等可调整电源供给经予联结使可提供电力 给各个别 的同心圆区域;iv.一光干涉消除电路(LIEC)包括有多 数 嵌入在该底侧以供测量光调变深度用之多数仿真 灯,其中 至少有一仿真灯系由每一电源供给器所供电,且包 括有接 收多数第一光纤感测器中之一用的导光管;v.一镀 金的平 整反射板系附装于该底侧,以供反射及引导光能之 用;及 vi.一供调整该灯与晶片间的间隔及该反射器与晶 片间的 间隔用之装置。第1图为使用本发明处理半导体装 置用的 单一晶片快热处理反应器之简要图;第2图为第与1 图之 处理室有联带关系的本发明较佳具体实例之部份 剖视简要 图;第3图为本发明的多区域照明器的较佳具体实 例之简 化图;第4图为依据本发明的多区域照明器之前视 图的简 要图;第5图为依据本发明的多区域照明器之底视 图的简 要图;第6图为依据本发明的多区域照明器之侧视 图的简 要图;第7a--d各图为依据本发明的配电系统的简要 图; 第8图为表示本发明的光干涉消除电路(LIEC)之操作 的方 |
