| 主权项 |
1.一种半导体磊晶基体,其特征为,基体之结晶学上之晶面方位自一个100面之结晶学上之晶面方位倾斜,此倾斜之大小为以下之单晶砷化镓基体之基体上形成有磊晶生长之晶体,磊晶晶体之至少一部份为InGaC_(1-X)CAs晶体(其中,0<x<1),且磊晶生长系藉蒸气沈积法所行者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体磊晶基体,其特征为,InGaC_(1-X)CAs层(其中,0<x<1)之组成及膜厚均在该InGaC_(1-X)CAs(其中,0<x<1)层之弹性变形界限范围内者。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体磊晶基体,其特征为,InGaC_(1-X)CAs层(其中,0<x<1)为场效电晶体之通道层者。4.如申请专利范围第1或2项所述之半导体磊晶基体,其特征为,InGaC_(1-X)CAs层(其中,0<x<1)为半导体雷射之活性层者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体磊晶基体,其特征为,自100面之结晶学上之晶面方位倾斜之倾斜方位为<0-11>方向者。第1图为显示HEMT之闸电压与互导之相关 |
