| 主权项 |
1.一种电压比例复制装置,包括:一用以产生一等比 于该 输入电压的磁场的反应输入电压的输入电磁石;一 位于该 输入电磁石的场中的第一磁阻感应元件;一输出电 压的可 调式电源;一反应该输出电压的输出电磁石,用以 产生一 等比于该输出电压的磁场;一位于该输出电磁石的 场中的 第二磁阻感应元件;以及一控制电路,用以控制该 可调式 输出电压以保持该第一与第二磁阻元件的磁阻之 间一固定 比例,因此保持该输入电压与该输出电压之间一固 定比例 。2.一种如申请专利范围第1项之装置,其中该固定 比例为 一。3.一种如申请专利范围第1项之装置,其中该控 制电路包 括一用以控制来自电源供应器的电流的电晶体,以 及一用 以控制该电晶体的差动放大器,该差动放大器反应 跨于该 第一与第二感应元件的电压降的差。4.一种如申 请专利范围第1项之装置,另外包括一电路, 用以经由至少该磁阻感应元件之一施加电流。5. 一种如申请专利范围第1项之装置,其中至少该磁 阻感 应元件之一包括一AC_wCBC_xCCC_yCOC_zC形式的化合物, 其中A包括一或多种稀土元素,B包括一或多种选自 包括Mg ,Ca,Sr,Ba,Pb及Cd的族的元素,C是一或多种选自包 括Cr,Mn,Fe及Co的族的元素。6.如申请专利范围第5项 之装置,其中0.4≦w≦0.9,0.1 ≦x≦0.6,0.7≦y≦1.5以及5.5≦z≦3.5。7.如申请专利 范围第5项之装置,其中0.5≦w≦0.8,0. 15≦x≦0.5,0.8≦y≦1.2,以及2.7≦z≦3.3。8.如申请专 利范围第5项之装置,其中A是La,B是一或多 种选自包括Ca,Sr,Ba,或Pb的族的元素,C是Mn。9.如申 请专利范围第1项之装置,其中至少该磁阻感应元 件之一包括一具有电阻系数>0.2mcm的磁阻材 料体 。10.如申请专利范围第1项之装置,其中至少该磁 阻感应 元件之一包括一具有电阻系数>5mcm的磁阻 材料体 。11.如申请专利范围第1项之装置,其中该输入电 压有一 超过10KHz的AC成分。12.如申请专利范围第1项之装 置,其中该输入电压有一 超过50KHz的AC成分。13.如申请专利范围第1项之装 置,其中至少该磁阻元件 之一在500Oe的场下具有至少0.1的磁阻比。14.如申 请专利范围第1项之装置,其中至少该磁阻元件 之一在500Oe的场下具有至少0.5的磁阻比。15.一种 具有用于闭回路调节的回授控制电路的功率变流 器,该控制电路包括一种如申请专利范围第1或2或3 或 4或5或6或7或8或9或10或11或12或13或14项的装置 。图1图解说明一用以在一隔离的电压输出复制输 入电压 的装置;图2图解说明一用以对应于一电磁铁定位 一磁阻 感应元件的较佳排列;图3是二端磁阻感应器中的AC 电压 信号对线圈的输入AC电压,在800KHz固定频率的图;图 4 是来自磁阻感应器的AC电压信号(表示为输入电压 的分数) 对输入电压的频率的图;图5是来自磁阻感应器的DC 电压 信号对线圈中的输入电压的图;图6展示在高频AC激 发下 ,La-Ca-Sr-Mn-O磁阻膜中的增益与相位变化;图7 展示在高频AC激发下,坡莫合金膜中的增益与相位 变化; 图8展示在高频AC激发下,Mn-Zn铁酸盐膜中的增益与 相 位;以及图9是一功率转换器的图解,该转换器使用 回授 |
