发明名称 均匀之MFI型沸石晶体的制造方法
摘要 均匀且可控制大小之MFI沸石晶体可藉混合:(i) 微粒氧化矽之来源,其中所存在之氧化矽颗粒平均直径为lμm或更小;(ii) 胶态悬浮液形式且平均直径为100nm或更小之MFI沸石之种子;(iii)有机结构定向剂,其为四乙基铵,四丙基铵或四丁基铵;及(iv) 氟或选自纳,钾及铯之硷金属之来源;形成水性合成混合物,种子之存在量为合成混合物重之005至1700ppm,且合成混合物以OH-/SiO2莫耳比表示之度小于01,并使合成混合物在140到200℃下结晶65到150小时。
申请公布号 TW250441 申请公布日期 1995.07.01
申请号 TW081108462 申请日期 1992.10.23
申请人 艾克颂化学专利公司 发明人 加尼.皮.莫度
分类号 B01J32/00;C01B33/34 主分类号 B01J32/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种制造MFI沸石之方法,其包括混合:(i)微粒氧化 矽 之来源,其中所存在之氧化矽颗粒平均直径为1m 或更小 ;(ii)胶态悬浮液形式且平均直径为100nm或更小之MFI 沸 石之种子;(iii)有机结构定向剂,其为四乙基铵,四 丙 基铵或四丁基铵化合物;及(iv)氟或选自钠,钾及铯 之 金属之来源;形成水性合成混合物,种子之存在量 为合成 混合物重之0.05至1700ppm,且合成混合物以OH/SiOC_2C 莫耳比表示之 度小于0.1,并使合成混合物在140到 200 ℃下结晶65到150小时。2.如申请专利范围第1项之 方法,其中所制之结晶之平径 直径或长度为0.3至30微米。3.如申请专利范围第1 或2项之方法,其中合成混合物亦 包括铝,镓,硼,铁,锌或钒之来源。4.如申请专利范 围第1项之方法,其中有机结构定向剂为 四丙基铵化合物。5.如申请专利范围第1或2项之方 法,其中所制之沸石经 烧。图1为晶种浆液中晶种之SEM图及 X-射线绕射 图 。图2为晶种数量对晶粒直径的影响。图3为分别 由不含 晶种,含2.7ppm及1600ppm晶种的合成混合物所合成ZSM- 5结晶之SEM图。图4为晶种量对蹄形结晶平均长度 的影响 。图5为分别由不含晶种,含8.5ppm及1200ppm晶种的合 成混合物所合成蹄形结晶之SEM图。图6显示胶态氧 化矽 与固体氧化矽对合成的晶体粒径分布影响上的差 异。图7
地址 美国