摘要 |
ESTE DISPOSITIVO SE COMPONE ESENCIALMENTE DE UNA MEMORIA LLAMADA ELASTICA, DE CAPACIDAD DETERMINADA PARA CONTENER EN CADA INSTANTE DEFINIDO POR UN RITMO DE INSERCION REDUCIDO D SUB 2 /N,DE ELEMENTOS BINARIOS CONSTITUTIVOS DE PALABRAS LEIDAS EN UNA MEMORIA-TAMPON INSCRITA EN UN RITMO REDUCIDO D SUB 1 /N, TODAVIA NO INSERTADAS O TODAVIA NO REINSERTADAS EN LAS TRAMAS SALIENTES, Y EN NUMERO VARIABLE, FUNCION DE COMANDOS DE JUSTIFICACION GENERADOS ANTERIORMENTE, MEDIOS DE SELECCION DE ELEMENTOS BINARIOS CONTENIDOS EN ESTA MEMORIA ELASTICA, PARA INSERCION O REINSERCION EN LAS TRAMAS SALIENTES, Y MEDIOS DE BLOQUEO TEMPORAL DEL RELOJ DE LECTURA DE LA MEMORIA-TAMPON CUANDO EL NUMERO DE ELEMENTOS BINARIOS A ALMACENAR EN LA MEMORIA ELASTICA SOBREPASA UN VALOR LIMITE PREDETERMINADO DE LLENADO DE ESTA MEMORIA.
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