热壁密装低温低压淀积二氧化硅薄膜技术

摘要

一种低温低压热壁密装淀积二氧化硅薄膜的技术。现有技术淀积的二氧化硅薄膜台阶覆盖性较差，填充深孔能力不佳，炉产量较低。本发明用臭氧和正硅酸酯为原料，反应温度150～550℃，气体压力10—10³帕，反应管内可装待淀积硅片5～150片，反应管置于加热炉内，形成热壁。用本发明制得的二氧化硅薄膜性能良好，生产效率高。

主权项

1、一种用正硅酸酯和臭氧作用制备二氧化硅薄膜的技术，其特征在于将要淀积薄膜的硅片每两片淀积面向外迭合或单片间隙3～30mm层层平行排列在反应管内，硅片平面垂直于反应体系内气流方向且与反应管主轴垂直，将正硅酸酯蒸汽和臭氧引入反应体系内，反应管置入加热炉，反应温度150～550℃，气体压力10～103帕。