| 主权项 |
1.一种减压处理装置,其主要特征包括:至少备有一可与用于处理被处理体之处理环境或/及大气环境连通之开口的处理室及;使上述室之内部能相对于处理环境或/及大气环境遮断或开放,而被设在上述开口之闸机构及;将被处理体搬入上述室内或自该室搬出之搬送机构及;用于排出上述室内之气体的排气机构及;用于对上述室之壁面加热之加热机构及;可对上述闸机构、搬送机构、排气机构与加热机构之至少一者加以控制之控制机构。2.如申请专利范围第1项之减压处理装置,更包括有用于冷却该处理室之壁面的冷却机构。3.如申请专利范围第1项之减压处理装置,更将用于载置被处理体之载置台设在处理室内,且备有用于加热该载置台之载置台加热机构。4.如申请专利范围第3项之减压处理装置,载置台加热机构,备有被埋入到用于构成载置台之构件中之电热加热器。5.如申请专利范围第3项之减压处理装置,更备有用于冷却载置台之冷却机构。6.如申请专利范围第5项之减压处理装置,冷却机构备有被形成在用于载置被处理物之载置台构件上的冷媒通路。7.如申请专利范围第1项之减压处理装置,减压机构被设在处理室内。8.如申请专利范围第7项之减压处理装置,更备有用于加热搬送机构之被处理物保持部之加热机构。9.如申请专利范围第1项之减压处理装置,除了将热能照射机构设在处理室之外部外,亦在室之壁之一部分安装有热线可透过之窗,而经过该窗将热线照射到处理室之内部。10.如申请专利范围第1项之减压处理装置,更备有对处理室内供给气体之气体供给机构。11.一种减压处理装置,其主要特征包括:具有外侧壁及内侧壁,此外至少备有一可与用于处理被处理体之处理环境或/及大气环境连通之开口的处理室及;使上述室之内部能相对于处理环境或/及大气环境遮断或开放,而被设在上述开口之闸机构及;将被处理体搬入上述室内或自该室搬出之搬送机构及;用于排出上述室内之气体的排气机构及;用于对上述室之壁面加热之加热机构及;可对上述闸机构、搬送机构、排气机构与加热机构之至少一者加以控制之控制机构,而上述内侧壁之厚度较上述外侧壁为薄。12.如申请专利范围第11项之减压处理装置,更备有用于冷却内侧壁之冷却机构。13.如申请专利范围第11项之减压处理装置,更备有将气体供给到处理室内部之气体供给机构。14.如申请专利范围第11项之减压处理装置,更备有可检测由内侧壁所包围之第1空间之压力与被形成在外侧壁及内侧壁彼此间之第2空间之压力等两者间之差压的差压检测机构,而根据差压检测结果,藉上述控制机构来控制上述排气机构及上述气体供给机构。第1A-1D图分别系模式化地表示备有单一或多个处理室之习知减压处理系统的配置图。第2图系表第1D图所示之习知减压处理系统之内部概要的纵断面图。第3图系将本创作之第1实施例中之真空系统之一部分切开表示之机构方块图。第4图系表第1实施例之真空室以及晶片载置台之纵断面图。第5图系将晶片载置台分解成各零件之分解立体图。第6图系表将晶片载入至真空室或自该室取出时之流程图。第7A图系表真空室之内室及外室之随时间的压力变化图。第7B图系表内侧之室壁之随时间的温度变化图。第7C图系表闸阀(gatevalve)之开闭状态的时序图。第8图系表就第1实施例及比较例调查真空室之内压变化的图形。第9图系表第2实施例之真空室及晶片载置台之纵断面图。第10图系表第3实施例之真空室及晶片载置台之纵断面图。第11图系表将第4实施例之真空室及晶片载置台切开表示之纵断面图。第12图系表离子注入装置及附属之真空系统之平面配置图。第13图系表将第5实施例之真空系统之主要部分切开表示之纵断面图。第14图系表将第6实施例之真空系统之主要部分的纵断面图。第15图系表将第7实施例之真空系统之主要部分的纵断面图。第16图系表将第8实施例之真空系统之主要部分的纵断面图。第17图系表将第9实施例之真空系统之主要部分的纵断面图。第18图系表将第10实施例之真空系统之主要部分的纵断面图。第19图系表将第10实施例之真空室之开口部分扩大表示之纵断面扩大图。第20图系表第11实施例之真空系统之整体概要之机构方块图。第21图系表第11实施例之真空系统之开口部的纵断面图。第22图系表第11实施例之真空系统之开口部的正面图。第23图系表第12实施例之真空系统之整体概要图。第24图系表第12实施例之真空室(过滤装置) 之内部的纵断面图。第25(a)-(d)图分别表在过滤装置之各动作的时序图。 |
