| 主权项 |
1.一种具位准转换功能之积体电路输入保护装置, 其主要 系设于积体电路推动级和被推动级之间,包括:一P 型基 底,该P型基底系为浮接;一N型井区,其系掺入杂质 于上 述P型基底上形成,亦为浮接;一P型寄生电阻,其系 一P 型植入扩散形成于上述N型井区中,该P型寄生电阻 之两端 ,分别接往前述之推动级和被推动级;及一P型区域, 其 系一P型植入于上述N型井区中,且与上述P型寄生电 阻扩 散区域不相连接,而接往参考地电位;藉上所揭露 之结构 ,该P型寄生电阻与N型井区之间,以及该N型井区与P 型区 域之间,将形成两个PN接面,且N接面相连,使允许之 输 入讯号位准提升,配合上述P型寄生电阻之降压及 限流效 应,即能达成位准转换及电路保护之预期目的者。 2.如申请专利范围第1项所述之具位准转换功能之 积体电 路输入保护装置,其更包括一复晶矽电阻,设于前 述P型 寄生电阻与推动级之间。3.一种具位准转换功能 之积体电路输入保护装置,其主要 系设于积体电路推动级和被推动级之间,包括:一N 型基 底,该N型基底系为浮接;一P型井区,其系掺入杂质 于上 述N型基底上形成,亦为浮接;一N型寄生电阻,其系 一N 型植入扩散形成于上述P型井区中,该N型寄生电阻 之两端 ,分别接往前述之推动级和被推动级;及一N型区域, 其 系一N型植入于上述P型井区中,且与上述N型寄生电 阻扩 散区域不相连接,而接往参考地电位;藉上所揭露 之结构 ,该N型寄生电阻与P型井区之间,以及该P型井区与N 型区 域之间,将形成两个PN接面,且N接面相连,使允许之 输 入讯号位准提升,配合上述N型寄生电阻之降压及 限流效 应,即能达成位准转换及电路保护之预期目的者。 4.如申请专利范围第3项所述之具位准转换功能之 积体电 路输入保护装置,其更包括一复晶矽电阻,设于前 述N型 寄生电阻与推动级之间。第一图系第一种习用积 体电路输 入保护装置之电路图。第二图系第二种习用积体 电路输入 保护装置之电路图。第三图系本发明具位准转换 功能之积 体电路输入保护装置之电路图。第四图系本发明 具位准转 换功能之积体电路输入保护装置之布局俯视图。 第五图系 本发明具位准转换功能之积体电路输入保护装置 之布局剖 视图。第六图系本发明具位准转换功能之积体电 路输入保 |
