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<P>L'invention concerne un procédé pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique, selon lequel on met en contact le substrat avec une atmosphère gazeuse de traitement, à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de traitement comprenant un mélange gazeux primaire et un mélange gazeux adjacent qui comprend au moins un précurseur gazeux du silicium, le mélange gazeux primaire étant obtenu à la sortie de gaz d'au moins un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial, le mélange gazeux primaire étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées, et le mélange gazeux adjacent n'ayant pas transité par ledit appareil.</P>
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