PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PLANO DE CINTA ENTERRADA.

摘要

TRAS UN GRABADO QUE DELIMITA UNA CINTA DE LASER (2A) EN RELIEVE SOBRE UN SUSTRATO (1), CAPAS LATERALES (6, 7) QUE DEBEN RODEAR ESTA CINTA ESTAN FORMADAS POR UN METODO DE CRECIMIENTO NO SELECTIVO QUE REALIZA UNA DEPOSICION NO SOLO AL LADO DE ESTA CINTA, SINO TAMBIEN POR ENCIMA DE ESTE CREANDO UN SALIENTE PARASITO (6A, 7A). ESTE SALIENTE SE RETIRA A CONTINUACION TRAS HABER SIDO SEPARADO DE ESTE SUSTRATO POR UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO DE UNA TIRA DE AYUDA AL RELEJE (4A) QUE HABIA SIDO DEPOSITADA PARA ESTE PROPOSITO POR ENCIMA DE ESTA CINTA ANTES DE ESTE GRABADO. SE HAN REALIZADO PASOS (28) PARA EL MEDIO DE ATAQUE UTILIZADO PARA ESTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA REALIZACION DE SISTEMAS DE TRANSMISION DE FIBRAS OPTICAS.