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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Öffnung in einem Halbleiterschichtaufbau und dessen Verwendung zur Herstellung von Kontaktlöchern.
摘要
申请公布号 DE59009067(D1) 申请公布日期 1995.06.14
申请号 DE19905009067 申请日期 1990.12.05
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 ROESNER, WOLFGANG, DR., W-8014 NEUBIBERG, DE
分类号 H01L21/60;H01L21/768;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
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