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发明名称 Single silicon crystal sparingly susceptible of stacking fault induced by oxidation and method for production thereof.
摘要
申请公布号 EP0391709(B1) 申请公布日期 1995.06.14
申请号 EP19900303656 申请日期 1990.04.05
申请人 NIPPON STEEL CORPORATION;NSC ELECTRON CORPORATION 发明人 TACHIMORI, MASAHARU, C/O HIKARI WORKS;SAKON, TADASHI, C/O HIKARI WORKS;KANEKO, TAKAYUKI, C/O HIKARI PLANT;MEGURO, SEIZOU, C/O HIKARI PLANT
分类号 H01L21/208;C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;(IPC1-7):C30B15/00 主分类号 H01L21/208
代理机构 代理人
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