发明名称 |
真空低温等离子体沉积假捻器摩擦盘的方法 |
摘要 |
真空低温等离子体沉积假捻器摩擦盘技术是一种新的制作高速纺丝假捻变形加工用摩擦盘的技术。这种技术,是在真空中,由水冷阴极制成的蒸发的离化源,在电磁场的作用下,形成弧光等离子体,使阴极靶面均匀的熔蚀、蒸发、离化与活性气体作用,以金属的化合物结构沉积在摩擦盘基体上。用这种方法制作的摩擦盘,镀层致密,附着力强,颗粒度及表面粗糙度可控,可取代国内外传统用等离子体喷射方法。沉积后无需二次加工,镀层均匀。 |
申请公布号 |
CN1028885C |
申请公布日期 |
1995.06.14 |
申请号 |
CN91105060.4 |
申请日期 |
1991.07.29 |
申请人 |
袁磊 |
发明人 |
袁磊;费兰香;刘金聚;吴晓丹;王向东;王斐;袁瑞明 |
分类号 |
D02G1/04;D01H7/92 |
主分类号 |
D02G1/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种用真空低温等离子体沉积技术制作假捻器摩擦盘的方法,其特征在于工艺程序,包括:(1)对摩擦盘基体进行机械加工,喷砂、去油、清洗,(2)在真空中用Ar气对摩擦盘基体进行离子轰击去气,(3)在Ar气中沉积纯铬或镍铬,(4)在混合气体中沉积铬化合物或镍铬化合物的耐磨层。 |
地址 |
100016北京市朝阳区酒仙桥芳园里一楼37号 |