发明名称 Mémoire non volatile modifiable électriquement avec contrôle d'écriture.
摘要 <P>Afin de pouvoir vérifier le déroulement correct des cycles de programmation dans une mémoire de type EEPROM, on prévoit des cellules témoins supplémentaires (9). <BR/> Une opération d'écriture de données s'effectue en trois cycles successifs: <BR/> - programmation d'une cellule témoin (9) à une première valeur logique, <BR/> - programmation des données et <BR/> - programmation de la cellule témoin (9) à une valeur logique complémentaire de la première. <BR/> L'état de la cellule témoin permet de détecter des coupures d'alimentation en cours de programmation.</P>
申请公布号 FR2713008(A1) 申请公布日期 1995.06.02
申请号 FR19930014211 申请日期 1993.11.23
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA 发明人 BAHOUT YVON;TAILLIET FRANCOIS
分类号 G11C17/00;G11C16/02;G11C16/04;G11C29/00;G11C29/04;G11C29/24;G11C29/52;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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