发明名称 |
Mémoire non volatile modifiable électriquement avec contrôle d'écriture. |
摘要 |
<P>Afin de pouvoir vérifier le déroulement correct des cycles de programmation dans une mémoire de type EEPROM, on prévoit des cellules témoins supplémentaires (9). <BR/> Une opération d'écriture de données s'effectue en trois cycles successifs: <BR/> - programmation d'une cellule témoin (9) à une première valeur logique, <BR/> - programmation des données et <BR/> - programmation de la cellule témoin (9) à une valeur logique complémentaire de la première. <BR/> L'état de la cellule témoin permet de détecter des coupures d'alimentation en cours de programmation.</P>
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申请公布号 |
FR2713008(A1) |
申请公布日期 |
1995.06.02 |
申请号 |
FR19930014211 |
申请日期 |
1993.11.23 |
申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
BAHOUT YVON;TAILLIET FRANCOIS |
分类号 |
G11C17/00;G11C16/02;G11C16/04;G11C29/00;G11C29/04;G11C29/24;G11C29/52;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C17/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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