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1.一种全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,适用于一第一型基板制作具有一选择闸电晶体及一堆叠闸电晶体的记忆单元,而上述全方位式EEPROM记忆单元的制造方法包括下列步骤:于上述第一型基板上形成第一闸极氧化物;于上述第一闸极氧化物的既定位置上形成上述选择闸电晶体的选择闸极,且于上述选择闸极上形成遮蔽物;于上述第一闸极氧化物上且于上述选择闸极的侧边形成边墙间隔物;以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕进行氧化,而于上述第一型基板上形成第二闸极氧化物;去除上述边墙间隔物;以上述遮蔽物及第二闸极氧化物为罩幕,将第二型杂质植入至上述第一型基板,而形成第一掺植区;去除位于上述选择闸极与第二闸极氧化物之间的第一闸极氧化物;进行氧化,而于上述选择闸极与第二闸极氧化物之间的基板上形成上述堆叠闸电晶体的隧穿氧化物以及于上述选择闸极的表面形成绝缘氧化物;以及形成上述堆叠闸电晶体的堆叠闸极,且植入第二型杂质至上述第一型基板,而形成第二掺植区,进而与上述第一掺植区形成上述选择闸电晶体及堆叠闸电晶体的汲极和源极。2.如申请专利范围第1项所述之全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,其中,形成上述堆叠闸极及第二掺植区的方法包括:形成上述堆叠闸极的漂浮闸极,且上述漂浮闸极由上述选择闸极上朝一侧延伸至上述隧穿氧化物及第二闸极氧化物上;以上述漂浮闸极为罩幕,植入第二型杂质至上述第一型基板,而形成上述第二掺植区;以及依序形成上述闸间介电层和控制闸极。3.如申请专利范围第2项所述之全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,其中,上述选择闸极、漂浮闸极以及控制闸极为复晶矽。4.如申请专利范围第3项所述之全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,其中,上述间闸介电层为氧化物-氮化物-氧化物结构。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所述之全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。6.如申请专利范围第1.2.3或4项所述之全方位式EEPROM记忆单元的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。第1图系显示习知全方位式EEPROM记忆单元的剖面图;以及第2图系显示用以说明本发明之 |
