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发明名称 Halbleiteranordnung mit organischer Schicht, wie isolierende Zwischenschicht für Mehrschichtmetallisierung.
摘要
申请公布号 DE68918983(T2) 申请公布日期 1995.06.01
申请号 DE19896018983T 申请日期 1989.05.02
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TASHIRO, TSUTOMU C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L23/522;H01L23/485 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
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