一种制造半导体的方法

摘要

一种制造半导体器件的BOX结构叠层状电容器的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层，在有源区上制作晶体管的栅极、源区和漏区，在场氧化层上预定区域制作第一导电层，并且在栅极和第一导电层上制作第一隔离层；在上述构造上形成第二隔离层；开一窗口使该源区部分裸露，然后淀积第二导电层；并覆盖第三隔离层；淀积第三导电层；将处于源区上方的第三导电层腐蚀；去除第三隔离层，并制作电容器第一电极；依次在上面所述的结构上制备电介质层和第四导电层。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征包括：第一，通过在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层来限定一个有源区；第二，在该有源区形成晶体管的栅极，源区和漏区从而构成存储单元，在该场氧化层预定部分形成第一导电层；在该栅极和该第一导电层上形成第一隔离层；第三，在如上所述的结构上形成第二隔离层；第四，在所述的第二隔离层中开一窗口，使该源区暴露，然后在该第二隔离层和暴露衬底的全部表面淀积第二导电层；第五，在该第二导电层上覆盖第三隔离层并在源区上方将第三隔离层形成鞍状图形；第六，在上述构造上淀积第三导电层；第七，腐蚀由窗口露出的位于该源区上方的该部分第三导电层；第八，去除该第三隔离层图形，并通过腐蚀所述的第二导电层和所述的第三导电层形成电容器的第一电极图形；第九，在上述结构上依次形成电介质膜和第四导电层作为电容器的第二电极。