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发明名称 Method of forming a two-layered polysilicon gate electrode in a semiconductor device using grain boundaries
摘要
申请公布号 GB9507837(D0) 申请公布日期 1995.05.31
申请号 GB19950007837 申请日期 1995.04.18
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO. LTD. 发明人
分类号 H01L21/28;H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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