发明名称 半导体器件
摘要 在一种衬底上形成了半导体有源器件电路和导电线的半导体器件中,导电线被多次分割且各线的布线电阻限制在一预定数值或更小,以便各线有均匀的布线电阻。将波形变坏响应信号分量加到通过信号线传输的信号上以便改善信号的波形变坏。此外,形成了一个与电源线相对的电容形成电极,并用在电源线和电容形成电极之间插入电介质的方法形成一个电容以便降低发生在电源线中的高频噪音。这就比以前更彻底地降低了有源器件电路中不规则运行的出现。
申请公布号 CN1103205A 申请公布日期 1995.05.31
申请号 CN94114834.3 申请日期 1994.07.28
申请人 夏普公司 发明人 米田裕;吉田茂人;加藤宪一;山根康邦;石井裕
分类号 H01L27/00;H01L21/70;G09G3/00;G09G3/36;G09F9/00;G02F1/13 主分类号 H01L27/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 董巍;萧掬昌
主权项 1、一种半导体器件,它包含:一个衬底;一个包括一个半导体有源器件的有源器件电路,上述有源器件电路带有多个输入端,上述有源器件电路形成在上述衬底上;一个用来与上述半导体器件之外的外部电路进行电连接的外部连接端,上述外部连接端形成在上述衬底的一个边缘上;以及一个用来在上述有源器件电路的各输入端和上述外部连接端之间进行连接的导电线,上述导电线形成在上述衬底上,其中所述的导电线由多个布线电阻取预定值或更低值的分线组成。
地址 日本大阪市