发明名称 二维辐射探测器
摘要 一种二维辐射探测器具有一种包括闪烁体、半透明电极膜、光电导膜和扫描开关层的多层结构。该扫描开关层包括以矩阵形式排列、并与光电导膜相接触的导体,对应于以矩阵形式排列的导体的多个FET,以及经由FET逐行依次将偏压加到矩阵导体的均匀平面导体。每个FET的漏极连接至矩阵导体之一,其源极连接至均匀平面导体,其栅极连接至驱动电路。半透明电极膜包括对应于各列矩阵导体的列导体,每个列导体连接至信号读出线。
申请公布号 CN1102884A 申请公布日期 1995.05.24
申请号 CN94107702.0 申请日期 1994.06.30
申请人 株式会社岛津制作所 发明人 及川四郎;竹本隆之;加藤務;铃木四郎;谷岡健吉
分类号 G01T1/202 主分类号 G01T1/202
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 张政权
主权项 1、一种获得被转换成电信号的X射线照相图像的二维辐射探测器,所述探测器包括:用以将所述X射线照相图像转换成光学图像的闪烁体;用以将所述光学图像转换成以电荷为基础的图像的光电导膜;在所述光电导膜相对两面形成的半透明电极膜和扫描开关层;连接至所述扫描开关层的驱动电路;其特征在于,所述开关层包括:以矩阵形式排列并与所述光电导膜相接触的多个导体;其上施加偏置电压的导体;介于以矩阵形式排列的导体与其上施加偏置电压的导体之间的多个开关元件;以及用以将驱动信号从所述驱动电路加到所述开关元件的行导体;所述半透明导电膜包括对应于所述以矩阵形式排列的导体各列的列导体,每个所述列导体连接至一信号读出线。
地址 日本京都市
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