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发明名称 MOS-Feldeffekttransistor mit Seitenwand-Abstandsstücken.
摘要
申请公布号 DE69018734(D1) 申请公布日期 1995.05.24
申请号 DE19906018734 申请日期 1990.08.22
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 NARITA, KAORU, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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