具有电容元件的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水分含量在0.5克/cm³以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在10²¹/cm³以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成，可以减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流，防止绝缘耐压变差。

主权项

1、一种半导体装置，由集成电路与该集成电路上形成的电容元件组成，其特征在于，所述电容元件包括：所述集成电路的绝缘膜上形成的导电性膜组成的下电极；所述下电极上形成的强电介质膜或高电介质膜组成的电容绝缘膜；所述电容绝缘膜上形成的导电性膜组成的上电极，所述电容元件的上电极以及下电极，通过设于覆盖所述电容元件形成的层间绝缘膜中的接触孔，与所述集成电路的电极配线连接，所述层间绝缘膜的水份含量按每一cm3来算在0.5克以下。