| 发明名称 |
METAL-SEMICONDUCTOR DIODES HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND LOW LEAKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
US3523223(A) |
申请公布日期 |
1970.08.04 |
| 申请号 |
USD3523223 |
申请日期 |
1967.11.01 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC. |
发明人 |
ALLAN HAROLD LUXEM;CONSTANTINOS THEODORE NICOLAOU |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/205;H01L23/31;H01L29/00;(IPC1-7):01L9/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
