Procédé et dispositif pour attaquer des couches minces, notamment des couches d'oxyde d'indium et d'étain.

摘要

L'invention concerne un dispositif pour attaquer des couches minces sur des substrats de verre dans une chambre à vide (2) munie d'un sas (3), d'un confinement magnétique (19) et d'une fenêtre (10), avec une source de plasma (12) et des antennes (14, 15) au-dessus de la chambre à vide, un support (5) de substrat (4) et une source haute fréquence (7, 8, 9) reliée au support de substrat. Le gaz d'attaque provenant de la source de gaz (11) est introduit dans la chambre à vide par la conduite (18). La source de plasma entourée par un aimant annulaire (13) est alimentée par une source haute fréquence séparée (16, 17) et la chambre à vide est mise sous vide au moyen d'une série de pompes (6). L'invention concerne aussi le procédé correspondant.