| 主权项 |
1.一种设有复数个光图样资料储存元件的可定址 光电系统 ,包含:一第一基底,在此第一基底的主要表面上支 承了 复数个不重叠的第一电极,而该等第一电极系沿着 第一方 向延伸;一设有复数个不相交叉通道的第二基底, 该等通 道系沿着第二方向而在此第二基底的主要表面上 延伸,每 一通道包含一可电离气体介质,每一通道并设有复 数个第 二电极其中之一、以及复数个参考电极其中之一, 其中该 等电极系沿着此通道实质长度部分延伸;第一与第 二基底 系以面对面且隔离之方式配置,其中第一方向横切 过第二 方向,以界定该等第一电极与该等通道之重叠区域 ;一位 置在第一与第二基底之间且具有光电性质的材枓 层,此光 电材料层及该等重叠区域界定了复数个光图样资 料储存元 件,该等储存元件选择性地储存一图场,而此图场 通常代 表由第一电极所载送的非均匀光图样资讯;提供第 一电气 信号到第一电极的第一装置以及提供第二电气信 号到第二 电极的第二装置,在每一连续图场中,第一及第二 装置同 时一次将各别第一及第二电气信号施加到每一储 存元件, 以完成与该等储存元件相关的气体之电离,并回应 第一电 气信号,以改变与该等储存元件相关的层区域之光 电特性 ;以及第三装置,用以将第三电气信号提供到所选 择的第 二及参考电极其中之一,其中该等电极的位置系在 所选择 的一个通道,而提供第三电气信号时系与施加第二 电气信 号到所选择的第二电极同样时间,第三电气信号配 合第二 电气信号,使所选择通道中之气体介质于预定之放 电起动 延迟时间之容许値内,产生电离。2.如申请专利范 围第1项之可定址光电系统,其中第三电 气信号增加新选择第二电极与参考电极间之电位 差。3.如申请专利范围第1项之可定址光电系统,其 中第三电 气信号于一预定之资料截获时间中,并不实质改变 光电材 料对第一与第二信号的反应。4.如申请专利范围 第1项之可定址光电系统,其中第三装 置将第三电气信号施加到所选择之参考电极。5. 如申请专利范围第1项之可定址光电系统,其中第 三装 置将第三电气信号施加到所选择之第二电极。6. 如申请专利范围第1项之可定址光电系统,其中第 三装 置将多个第三电气信号施加到所选择的参考电极 及第二电 极。7.如申请专利范围第1项之可定址光电系统,其 中光电材 料是均方根(RMS)反应型,且第三信号且有不足以于 后续 图场期间实质影响施加到光电材料的RMS型电场之 特性。8.如申请专利范围第1项之可定址光电系统, 其中光电材 料包括向列液晶材料。9.如申请专利范围第8项之 可定址光电系统,其中第二基 底包含界定诸通道的复数个支承构造,第二基底又 包含配 置在第一基底与第二基底之间的一介质材料层,此 介质材 料层将液晶材料与可电离气体介质分隔,并配合该 等支承 构造将各相邻通道中之可电离气体介质分隔。10. 如申请专利范围第1项之可定址光电系统,其中:所 选择之参考电极具有一标称电位;第一电气信号提 供〝断 电〞储存元件状态及预选〝供电〞储存元件状态 其中之一 ,而第一电气信号包括一〝断电〞信号,一较高电 位之〝 供电〞信号、以及一较低电位之〝供电〞信号,其 中〝断 电〞信号使各储存元件处于〝断电〞储存元件状 态,较高 与较低电位之〝供电〞信号使各储存元件处于预 选之〝供 电〞储存元件状态,且其中较高电位之〝供电〞信 号将各 第一电极置于一较称电位高的电位,而较低电位之 〝供电 〞信号将各第一电极置于一较标称电位底的电位, 且第二 电气信号将所选择之第二电极置于一较标称电位 低的电位 ,以便在此通道中产生电离;以及若诸第一电极在 一图场 中接收了一较高电位之〝供电〞信号,则该等第一 电极在 该图场之后续图场中并不接受较高电位之〝供电 〞信号, 且若若诸第一电极在一图场中接收了一较低电位 之〝供电 〞信号,则该等第一电极在该图场之后续图场中并 不接收 较低电位之〝供电〞信号。11.如申请专利范围第 10项之可定址光电系统,其中第三 电气信号系施加到一图场中之任何特定通道,其中 对于部 分系由此特定通道所界定的至少一个资料储存元 件而言, 第一电气信号系较低电位之〝供电〞信号,且此第 一电气 信号在前一图场中系较高电位之〝供电〞信号。 12.如申请专利范围第10项之可定址光电系统,其中 第三 电气信号系施加到一图场中之任何特定通道,其中 对于部 分系由此特定通道所界定的至少一个资料储存元 件而言, 第一电气信号系较低电位之〝供电〞信号〞。13. 如申请专利范围第10项之可定址光电系统,其中第 三 电气信号系施加到一图场中之任何特定通道,其中 对于部 分系由此特定通道所界定的至少一个资料储存元 件而言, 在前一图场中之第一电气信号系较高电位之〝供 电〞信号 。14.如申请专利范围第10项之可定址光电系统,其 中第三 电气信号系施加到任一图场中的大致所有通道,其 中任一 第一电气信号皆系较低电位之〝供电〞信号。15. 如申请专利范围第10项之可定址光电系统,其中第 三 电气信号系施加到任一图场中的大致所有通道,其 中对于 部分系由此特定通道所界定的至少一个资料储存 元件而言 ,在前一图场中之第一电气信号系较高电位之〝供 电〞信 号。16.如申请专利范围第10项之可定址光电系统, 其中第三 电气信号系施加到并未接续一图场的大致所有图 场中的大 致所有通道,其中任一第一电气信号皆系较低电位 之〝供 电〞信号。17.如申请专利范围第10项之可定址光 电系统,其中第三 电气信号系施加到大致所有图场中的大致所有通 道。18.如申请专利范围第10项之可定址光电系统, 其中〝断 电〞信号系在标称电位。图1是C'C149专利中所述显 示系 统中显示平板之显示平面及相关驱动电路之正视 图。图2 是形成C'C149专利中所述显示平板的各构造组件层 之放大 分解等角图,此图系自图1之左侧看去。图3是一放 大分 解正视图,此图系拆卸部分以示出图2显示平板内 部的不 同深度。图4是沿着图3中4--4线之放大剖视图。图5 是 沿着图3中5--5线之放大剖视图。图6是显示系统中 将电 浆作为开关作业的等效电路图,图中示出了一个接 收资料 选通脉波的例示资料列、以及三个接收资料驱动 信号的例 示资料行。图7示出了于起动电离信号后,列电极( 阴极) 到参考电极(阳极)电位及电流之时间函数图。图8 示出了 放电起动延迟作为列电极(阴极)到参考电极(阳极) 间所加 电位之函数。图9示出了一图场于截获电位相等于 参考电 极(阳极)的标称电位之资料信号后,此图场中之所 选择通 道。图10示出了在图9所示图场之后的图场中之所 选择通 道,其系在起动电浆放电或资料截获之前,但系施 加了其 电位系等于标称电位的资料信号。图11示出了一 图场于截 获电位低于标称电位之资料信号后,此图场中之所 选择通 道。图12示出了在图11所示图场之后的图场中之所 选择通 道,其系在起动电浆放电或资料截获之前,但系施 加了其 电位系高于标称电位的资料信号。图13示出了一 图场于截 获电位高于标称电位之资料信号后,此图场中之所 选择通 道。图14示出了在图13所示图场之后的图场中之所 选择通 道,其系在起动电浆放电或资料截获之前,但系施 加了其 电位系低于标称电位的资料信号。图15示出了于 加入电离 信号之后,于施加电离信号但不产生电离时,以及 于施加 根据本发明的反冲脉波以产生电离这两种情形中, 列电极 |
