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发明名称 MOSFET-Substrat mit Kohlenstoffdotierung zur Unterdrückung des Heissen-Elektronen-Trappings.
摘要
申请公布号 DE69015533(T2) 申请公布日期 1995.05.11
申请号 DE19906015533T 申请日期 1990.09.20
申请人 HEWLETT-PACKARD CO., PALO ALTO, CALIF., US 发明人 HADDAD, HOMAYOON, CORVALLIS, OR 97330, US;FORBES, LEONARD, CORVALLIS, OR 97330, US;RICHLING, WAYNE P., CORVALLIS, OR 97330, US
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/167;(IPC1-7):H01L29/167 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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