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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines MIS-Transistor-Bauelementes mit einem Gitter, welches über geringdotierte Teile der Source- und Drain-Gebiete herausragt.
摘要
申请公布号 DE69018374(D1) 申请公布日期 1995.05.11
申请号 DE19906018374 申请日期 1990.10.29
申请人 PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL 发明人 VERHAAR, ROBERTUS, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
分类号 H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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