| 发明名称 |
Hydrogen plasma passivation of GaAs. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0441024(B1) |
申请公布日期 |
1995.05.10 |
| 申请号 |
EP19900309298 |
申请日期 |
1990.08.24 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
GOTTSCHO, RICHARD ALAN;PREPPERNAU, BRYAN L. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/30;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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