制造芯片隆起部的方法

摘要

一种制造芯片金属隆起部的方法，包括以下步骤：在形成焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层以及在焊接区处开窗口；通过对窗口区电镀形成芯片隆起部；用该隆起部作为掩模选择性地去除光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除残留的光致抗蚀剂层在该焊接区上形成芯片隆起部，从而得到高质量的芯片隆起部并在降低生产成本的同时简化制造工艺。

主权项

1、一种在半导体芯片的焊接区上制造用于直接固定引线的金属的芯片隆起部的方法，该方法包括以下步骤：在形成所述焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在所述阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层，并在焊接区处开窗口；通过电镀该窗口区而形成芯片隆起部；用所述隆起部作为掩模选择性地去除所述光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀所述阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除所述残留的光致抗蚀剂层而在所述焊接区上形成芯片隆起部。