Transistor employing composite of semiconductor material and conductive material.,申请号EP19870310889-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Transistor employing composite of semiconductor material and conductive material.
摘要
申请公布号	EP0271346(B1)	申请公布日期	1995.05.03
申请号	EP19870310889	申请日期	1987.12.10
申请人	GTE LABORATORIES INCORPORATED	发明人	DITCHEK, BRIAN M.;SICHEL, ENID K.;COGAN, ADRIAN I.;BLOSS III, WALTER L.
分类号	H01L21/24;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/329;H01L21/335;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/812;H01L29/861;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/47;H01L29/80	主分类号	H01L21/24
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