| 主权项 |
1.一种具备高铜箔接着性之聚亚醯胺之前驱物-聚 醯胺酸 ,其系令包含下列单体之反应物共聚合而成:(A)含 有咪 唑(imidazole)官能基之胺基单体,(B)对苯二胺(p- phenylene diamine)单体,(C)氧-二苯胺(oxy-dianline )单体,(D)二苯四羧双酐(biphenyl tetracarboxylic dianhydride)单体;(E)苯四均双酐(pyromellitic anhydride)单体;其中,(A)与总胺基单体【(A)+(B)+C) 】之莫耳数比为0.01-0.7,且单体(A)系择自具有下列 化 学式之单体所组成之群体:R为氢原子、烷基(alkyl) 【 】、芳香烃(aryl)【】或烃基芳香 烃(arylalkyl)【】等官能基。R为烷基(alkyl)【 】、芳香烃(aryl)【】或烃基芳香烃( arylalkyl)【】等官能基。2.如申请专利范围第1项所 述之聚醯胺酸,其中之单体(A )为含有苯并咪唑(benzimidazole)官能基之单体。3.如 申请专利范围第2项所述之聚醯胺酸,其中之单体(A )为6-氨基-2-(对氨基苯)苯并咪唑【6-amino-2-( p-aminophenyl) benzimidazole】。4.如申请专利范围第2项 所述之聚醯胺酸,其中之单体(A )为2-氨基苯并咪唑(2-aminobenzimidazole)。5.一种制备 具有高铜箔接着性及高平坦性之无接着剂型聚 亚醯胺/铜箔积层材料之方法,该方法包括下列步 骤:a. 将如申请专利范围第1项所述之聚醯胺酸涂布在铜 箔上; b.于氮气气氛中,350℃下进行亚醯胺化(imidazation)。 6.如申请专利范围第5项所述之制备聚亚醯胺/铜箔 积层 材料之方法,其中,步骤a所采用之铜箔为电解铜箔( electro deposited copper foil)。7.如申请专利范围第5项 所述之制备聚亚醯胺/铜箔积层 材料之方法,其中,步骤a所采用之铜箔为延压铜箔( rolled copper foil)。第1图为表示习知之聚亚醯胺/ 接着剂/铜箔三层式积层材料之制作流程。第2图 为表示 聚亚醯胺/铜箔积层材料之平整性之测试方法。第 3图为 表示本发明之无接着剂型聚亚醯胺/铜箔积层材料 之制作 |
