Field effect transistor.,申请号EP19910119069-传众专利搜索

发明名称	Field effect transistor.
摘要
申请公布号	EP0484968(B1)	申请公布日期	1995.04.26
申请号	EP19910119069	申请日期	1991.11.08
申请人	SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.	发明人	KUWATA, NOBUHIRO, C/O YOKOHAMA WORKS
分类号	H01L21/335;H01L29/36;H01L29/772;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/812;H01L29/205;H01L21/338	主分类号	H01L21/335
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