发明名称 HETERO-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH07111327(A) 申请公布日期 1995.04.25
申请号 JP19930255582 申请日期 1993.10.13
申请人 NIPPONDENSO CO LTD 发明人 MATSUGAYA KAZUOKI;TAGUCHI TAKASHI;UENO YOSHIKI
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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