| 发明名称 |
CIRCUITO DI GENERAZIONE DI ALTA TENSIONE PER UN CIRCUITO DI MEMORIA A SEMICONDUTTORI. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1250777(B) |
申请公布日期 |
1995.04.21 |
| 申请号 |
IT1991RM00712 |
申请日期 |
1991.09.24 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
KIM JIN-GI;LEE WOONG-MU |
| 分类号 |
G11C17/00;G05F1/10;G05F1/575;G05F3/24;G11C16/06;G11C16/30;H01L21/822;H01L21/8247;H01L27/04;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792;H02M3/07;(IPC1-7):G11C |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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