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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR950003899(B1) 申请公布日期 1995.04.20
申请号 KR19910021681 申请日期 1991.11.29
申请人 TOSHIBA CO., LTD. 发明人 HOSHI, TADAHIDE
分类号 H01L21/74;H01L21/321;H01L21/762;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
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